2703
ASML планує змінити конструкцію своїх найсучасніших літографічних систем High-NA EUV, щоб вони могли виробляти значно більші процесори для дата-центрів. Це особливо важливо для компаній на кшталт NVIDIA та Google, чиї ШІ-прискорювачі вже наблизилися до фізичної межі розміру, яку дозволяє нинішнє покоління обладнання.
Літографічні установки ASML формують структуру майбутнього чипа на кремнієвій пластині, проєктуючи світло через спеціальну маску. Сучасні EUV-машини компанії здатні друкувати кристали площею приблизно до 800 квадратних міліметрів. Найбільші процесори для дата-центрів уже використовують майже всю цю доступну площу.
High-NA EUV є наступним поколінням технології. Такі машини забезпечують вищу числову апертуру і можуть формувати дрібніші елементи на кремнії, що необхідно для подальшого зменшення транзисторів. Однак у нинішній конфігурації вони мають інше обмеження: менший розмір маски зменшує максимальну площу одного кристала.
Для смартфонних або ноутбучних процесорів це не настільки критично, але великі ШІ-чипи часто займають майже максимально допустиму площу. NVIDIA, Google та інші розробники прагнуть розміщувати на одному кристалі дедалі більше обчислювальних блоків, пам’яті та високошвидкісних інтерфейсів.
ASML тому планує перейти на більший формат маски для High-NA. Це дозволить новим машинам зберегти перевагу у роздільній здатності та одночасно друкувати кристали такого самого великого розміру, як сьогоднішні традиційні EUV-системи.
Компанія працюватиме над зміною разом із ключовими виробниками напівпровідників. Серед найбільших клієнтів ASML — TSMC, Samsung та Intel. Саме їхні фабрики виготовляють процесори для NVIDIA, Google та інших великих розробників.
Intel уже використовує High-NA EUV для частини виробництва ноутбучних чипів, але масове впровадження технології в індустрії ще попереду. TSMC очікує перейти до активнішого використання приблизно до 2030 року, тоді як Samsung і SK Hynix розглядають High-NA для виробництва DRAM раніше — орієнтовно з 2028 року.
ASML розраховує продемонструвати пілотну виробничу лінію з більшими масками приблизно у 2031 році. Повноцінне використання технології у масовому виробництві планується орієнтовно на 2033 рік.
За оцінкою компанії, більший формат може не лише зняти обмеження на площу кристалів, а й підвищити продуктивність систем приблизно на 40%. Для виробників це важливо через надзвичайно високу вартість High-NA EUV та необхідність максимально ефективно використовувати кожну установку.
Рішення розраховане на довгострокову перспективу, однак його розробка починається вже зараз, оскільки складність обладнання ASML вимагає багаторічної підготовки. Зростання попиту на ШІ-прискорювачі фактично змушує виробника переглядати параметри літографії, щоб майбутні покоління процесорів не вперлися у фізичні обмеження сучасних систем.
