Звичне правило теплопровідності каже, що тепло рухається від гарячого до холодного, а величина потоку визначається локальним перепадом температури. Для чашки кави або батареї опалення цього опису достатньо. Але на масштабах сучасних чипів і на часових інтервалах у трильйонні частки секунди тепло може поводитися складніше: потік у конкретній точці зберігає вплив того, що відбувалося раніше та в іншій ділянці матеріалу.
Фізики Обернського університету запропонували єдину статистичну теорію, яка описує цю «пам’ять» тепла разом із просторовою нелокальністю. Робота об’єднує в одній математичній схемі режими, для яких раніше часто використовували окремі рівняння.
Класична теорія теплопровідності понад двісті років спирається на закон Фур’є. Він передбачає, що тепловий потік у певному місці миттєво реагує на температурний градієнт саме в цій точці.
На великих масштабах така модель працює дуже добре. Усередині кристалу енергію переносять колективні коливання атомної решітки — фонони. Після багатьох зіткнень їхня поведінка усереднюється, і виникає звичайна дифузія тепла.
У дуже малих структурах частина фононів може пройти значну відстань до першого розсіювання. Через це енергія, що приходить у певну точку, залежить не лише від безпосереднього сусідства. Так виникає просторово нелокальний перенос.
Одночасно поточний тепловий потік може зберігати слід попереднього температурного збурення. Автори й називають це часовою пам’яттю — не в психологічному сенсі, а як фізичну залежність теперішньої реакції від минулого стану системи.
Центральним об’єктом нової теорії став просторово-часовий кернел, або карта теплової відповіді. Вона показує, наскільки сильно температурний градієнт у певному місці та в певний момент минулого впливає на тепловий потік в іншій точці зараз.
Дослідники застосували підхід до кристалічного кремнію за кімнатної температури. Моделювання охоплювало масштаби від десятків мікрометрів до нанометрів і відтворило перехід від звичайної дифузії до квазібалістичного переносу.
Для кремнію головним відхиленням від закону Фур’є виявилася не стільки довга часова пам’ять, скільки велика відстань, яку деякі фонони проходять до розсіювання. Проте пам’ять найбільше проявлялася на найперших етапах теплової відповіді.
Практична важливість зростає зі зменшенням електроніки. Розміри компонентів чипа стають порівнянними з довжинами вільного пробігу фононів, а робочі процеси — з їхніми часами релаксації. У таких умовах одна цифра теплопровідності може перестати повністю описувати охолодження пристрою, і нова теорія пропонує інструмент для моделювання цих режимів.
https://phys.org/news/2026-09-memory-theoretical-framework-track.html

2294