3640
Дослідники Китайської академії наук створили нові транзистори Gate-All-Around, які за окремими параметрами можуть забезпечити продуктивність на рівні сучасних передових техпроцесів. Для Китаю це важливо через обмежений доступ до найновішого літографічного обладнання.
GAA-транзистор відрізняється від попередніх FinFET тим, що затвор охоплює канал з усіх боків. Це дозволяє точніше контролювати струм і зменшувати витоки при подальшому зменшенні розмірів транзисторів.
За оцінками, використання нової структури може дозволити китайським виробникам ефективніше використовувати наявні DUV-літографічні установки. Саме обладнання старшого покоління залишається одним із небагатьох шляхів для SMIC та інших компаній після обмежень на постачання EUV-систем.
Втім, проблема виробництва сучасних чипів не закінчується створенням транзистора. Після формування активних елементів потрібно побудувати складну систему контактів і металевих з’єднань, які зв’язують мільярди транзисторів у робочу схему.
Найважчим місцем для китайського виробництва залишаються етапи MEOL і BEOL. Особливо складним є нижній металевий шар M0, який розташований найближче до транзисторів і має дуже малий крок.
За оцінками експертів, нова GAA-структура може дозволити зменшити висоту логічних комірок і досягти щільності приблизно 137,8 млн транзисторів на квадратний міліметр. Це приблизно відповідає класу 5-нм техпроцесу TSMC.
Тому заголовок про «наближення до 3 нм» не означає, що Китай уже може масово виробляти повноцінні 3-нм процесори. Йдеться про окремі характеристики транзисторів і потенціал їхнього використання, тоді як виробничі з’єднання й інші шари продовжують обмежувати кінцеву щільність.
Водночас навіть такий прогрес важливий. Якщо SMIC навчиться поєднувати більш досконалі транзистори зі старішою DUV-літографією, компанія зможе поступово скорочувати технологічний розрив без доступу до найсучасніших машин ASML.
https://itc.ua/ua/novini/novi-tranzystory-gaa-nablyzhayut-kytaj-do-3-nm-tehprotsesu-odnak-ye-nyuans/
