105
Вчені з Університету Канзасу та Університету Х’юстона співпрацюють для створення атомно точних резисторів пам’яті — мемристорів. Нова технологія спрямована на вдосконалення штучного інтелекту.
Мемристори призначені для обчислювальних систем, що імітують роботу мозку. Вони також сприятимуть підготовці кадрів для напівпровідникової промисловості.
Повідомляється, що робота дослідників спрямована на розвиток «нейроморфних обчислень». Таким чином мемристори діють як штучні нейрони та синапси.
Вчені використають підхід спільного проектування. Він об’єднує: дизайн матеріалів, виготовлення та тестування для досягнення точного налаштування мемристорів в атомному масштабі. Це робиться для забезпечення функціональності в нейроморфних схемах.
Дослідження спрямоване на вирішення давньої проблеми: чи можуть кілька атомних шарів забезпечити необхідну функціональність та рівномірність на великих площах.
Ці шари у 10 разів тонші за нанометр (для порівняння, аркуш паперу має товщину близько 100,000 нанометрів).
Науковці вже розробили ультратонкі мемристори на основі напівпровідників з широкою забороненою зоною.
Після чого, була продемонстрована пам’ять товщиною менше двох нанометрів.
