284
Компанія Samsung повідомила, що розпочала масове виробництво флеш-пам’яті 3D V-NAND TLC 9-го покоління ємністю 1 Тбіт. Нові чіпи пропонують підвищену щільність та енергоефективність порівняно з мікросхемами пам’яті 3D V-NAND TLC 8-го покоління.
Виробник не уточнив кількість шарів, що використовуються у складі пам’яті 3D V-NAND TLC 9-го покоління ємністю 1 Тбіт, а також техпроцес, який використовується для їхнього виробництва. Однак Samsung відзначила, що завдяки компактному в галузі розміру осередків бітова щільність чіпів 3D V-NAND TLC 9-го покоління була покращена приблизно на 50% в порівнянні з пам’яттю 3D V-NAND TLC попереднього покоління. Виробник також повідомив, що в нових мікросхемах пам’яті застосовується технологія запобігання перешкодам, в осередків збільшений термін служби, а відмова від фіктивних отворів у струмопровідних каналах дозволила значно зменшити планарну площу осередків пам’яті.
Флеш-пам’ять 3D V-NAND TLC 9-го покоління оснащена інтерфейсом нового покоління Toggle 5.1, який збільшив швидкість введення/виведення даних на 33% до 3,2 Гбіт/с на контакт. Поряд із цим компанія скоротила енергоспоживання на 10% щодо минулого покоління. У другій половині року Samsung планує розпочати виробництво 3D V-NAND дев’ятого покоління ємністю 1 Тбіт із осередками QLC.
